在非晶/结晶硅(a-si:h/c-si)界面形成的异质结具有独特的电子特性,可用于硅异质结(shj)太阳能电池。超薄a-si:h钝化层的结合实现了750 mv的高开路电压(voc)。此外,n型或p型掺杂的a-si:h接触层可以结晶成混合相,减轻寄生吸收,并提高载流子选择性和收集效率。
隆基绿能科技股份有限公司xu xixiang、li zhenguo等人在p型硅片上实现效率为26.6%的shj太阳能电池。作者在晶片上采用了磷扩散吸杂预处理策略,并使用了纳米晶体硅(nc-si:h)的载流子选择性接触,将p型shj太阳能电池的效率大幅提高到26.56%,从而为p型硅太阳能电池建立了新的性能基准。
作者详细介绍了该器件的工艺发展和光电性能改善。最后,作者进行功率损耗分析以确定p型shj太阳能电池技术的未来发展路径。
xiaoning ru et.al silicon heterojunction solar cells achieving 26.6% efficiency on commercial-size p-type silicon wafer joule 2024
doi: 10.1016/j.joule.2024.01.015
https://doi.org/10.1016/j.joule.2024.01.015